参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPI032N06N3 G
说明	功率MOSFET   10.2mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	500
最小包	500
现货	1287 [库存更新时间：1970-01-01]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 118µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	165nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	13000pF @ 30V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	120A
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.3mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	165nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	188W
高度	9.45mm
长度	10.2mm
系列	OptiMOS3
FET类型	N-Channel
宽度	4.5mm
正向跨导 - 最小值	75S
下降时间	20ns
上升时间	120ns
典型关闭延迟时间	62ns
典型接通延迟时间	35ns
漏源极电压Vds	60V